Hiệu suất của pin mặt trời đang được cải thiện nhanh chóng và khoảng cách giữa các đa tinh thể đơn l

        Đường trung trực của chuỗi công nghiệp quang điện gồm tế bào quang điện và môđun tế bào quang điện. Xử lý tấm silicon thành pin mặt trời là bước quan trọng nhất để đạt được chuyển đổi quang điện. Sự kết nối này là một ngành công nghiệp kép thâm dụng vốn và công nghệ, đòi hỏi các công ty phải theo kịp công nghệ sản xuất pin mới nhất để nâng cao hiệu quả sử dụng pin.

         Hiệu suất chuyển đổi trung bình của quá trình sản xuất hàng loạt tế bào silicon đơn trường và đa tinh thể nhôm có cấu trúc thông thường đạt 19,8%. Hơn nữa, khi tỷ lệ sử dụng tế bào silicon đơn tinh thể và silicon đa tinh thể sử dụng công nghệ tế bào PERC đạt 18,5%, hiệu suất của chúng sẽ tiếp tục tăng lên 20,5% và 19%, và vẫn còn rất nhiều dư địa cho tiến bộ công nghệ. Công nghệ pin silicon tinh thể loại N đã bắt đầu đi vào sản xuất hàng loạt nhỏ, tiến độ công nghệ tương đối nhanh, bao gồm pin silicon tinh thể loại N sử dụng công nghệ PERT, pin dị liên kết như HIT và pin tiếp xúc ngược như IBC sẽ được phát triển. Một trong những hướng đi chính trong thời gian tới.

        Xét về thị phần của từng công nghệ, pin BSF vẫn chiếm phần lớn thị phần hiện nay, chiếm khoảng 87,8% trong năm 2016. Với sự phát triển của công nghệ mới, thị phần của chúng sẽ giảm dần theo từng năm. Pin PERC hiện là pin hiệu suất cao lớn nhất. Thị phần pin sẽ đạt khoảng 10% vào năm 2016 và dự kiến sẽ đạt 20% hoặc cao hơn vào năm 2018. Trong tương lai, khi năng lực sản xuất của nhà sản xuất dần dần được hoàn thiện khi các sản phẩm khác nhau được hoàn thiện, thị phần của pin PERC sẽ tăng lên theo từng năm và dự kiến sẽ đạt 46% vào năm 2025. Các loại pin hiệu suất cao mới nổi, chẳng hạn như pin đơn tinh thể loại N hai mặt, pin tiếp xúc ngược (IBC) và pin dị liên kết (HIT), cũng sẽ dần dần tăng thị phần của chúng.